瑞萨科技发布新的低功耗SRAM产品

　　瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）开发出了目前市场上最高容量的64 Mb先进低功耗SRAM（先进LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先进LPSRAM产品R1LV3216R系列。32 Mb产品的样品将于2008年4月开始在日本交付，64 Mb产品的样品交付时间为7月份。

　　这两个新系列将进一步扩展瑞萨科技采用专有存储单元技术实现更小芯片尺寸和无软错误*1 的先进LPSRAM产品的阵容。两个系列将以不同的封装和不同的规格(例如存取时间)供货。总共十二款64 Mb产品和八款32 Mb产品可以满足包括工业、办公设备、消费类电子产品、汽车系统和通信设备等领域的各种需求。

　　R1WV6416R系列和R1LV3216R系列的主要功能概括如下：

　　(1) 行业最大容量64 Mb的低功耗SRAM

　　新型64 Mb低功耗SRAM的每款产品都是在一个封装中集成了两个小型32 Mb先进LPSRAM芯片的堆栈，实现了业界最高的容量。这些器件可以满足高性能系统的大容量低功耗SRAM需求，同时满足以前需要多个低功耗SRAM器件才能实现的应用对减小空间的要求。

　　(2) 广泛的封装阵容可满足各种需求

　　为了满足各种应用需求，这两个新系列采用了几种不同的封装：TSOP I（48引脚）、μTSOP（52引脚），而64 Mb产品还有FBGA（48焊球）封装。TSOP I和μTSOP封装与以前的16 Mb产品尺寸相同，而FBGA封装的焊球布局则为信号引脚兼容。这将有助于客户在继续使用其现有布局设计时增加存储容量。

　　(3) 具备无软错误和无锁定的高可靠性

　　先进LPSRAM采用一种堆叠电容器*2 存储单元结构，这是DRAM元件中证明成功的一种方法。它实际上可以消除alpha辐射或高能量中子辐射所引起的软错误，这可能是超精细SRAM存在的一个问题。此外，这种存储单元结构还可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的问题*3，它可能产生寄生电流流动并导致锁定。消除软错误和锁定可以实现卓越的可靠性。

　　< 产品背景 >

　　瑞萨科技的低功耗SRAM产品目前已应用于工业设备、办公设备、消费类电子产品、汽车系统和通信设备等领域的各种应用。这些产品可用于电池供电的数据备份，如MCU的工作存储器以及图像数据的备份存储器。随着系统性能的不断提高，大容量低功耗SRAM产品的需求正在持续增长。

　　同步DRAM（SDRAM）以前是主要用于工业或汽车系统等应用的MCU工作存储器或图像数据备份存储器的标准选择。近来，经过不断的推陈出新，高容量低功耗SRAM正作为SDRAM的一种替代方案不断为这类应用所采用。

　　超精细制造工艺的采用增加了SRAM的存储容量，但是这也容易引起软错误率的上升。这个问题是由于存储器节点*4 的电容下降引起的，这使之更容易受到渗入硅衬底的alpha辐射或高能量中子辐射的影响而产生寄生电荷。这将增加由存储器节点引起的数据丢失率，而必须使用隔离措施进行处理。

　　为了满足这些要求，瑞萨科技开始采用一种堆叠的电容器配置，它是一种成熟的DRAM元件，可以防止超精细尺寸存储器节点电容的下降。它有助于开发无软错误的先进LPSRAM。目前批量生产的先进LPSRAM产品包括4 Mb和16 Mb的产品，以及由两个16 Mb芯片堆迭一个封装中组成的32 Mb产品。两个新系列分别是采用小型单芯片32 Mb的产品，以及堆迭在一个封装中的两个32 Mb芯片组成的64 Mb产品，这些均可以满足增加容量的要求。

　　< 产品细节 >

　　R1WV6416R系列64 Mb先进LPSRAM产品，以及R1LV3216R系列32 Mb先进LPSRAM产品的存取时间为55 ns（纳秒）或70 ns，分别采用TSOP I（48引脚）、μTSOP（52引脚）或FBGA（48焊球）封装*（对于64 Mb产品）。TSOP I（48引脚）产品的封装与目前的16 Mb产品相同，而μTSOP（52引脚）的封装与目前的8 Mb、16 Mb和32 Mb产品相同。FBGA（48焊球）产品的焊球布局与目前的4 Mb、8 Mb、16 Mb和32 Mb产品后向兼容。这将有助于客户在继续使用其现有布局设计时增加存储容量。

　　随着两个新系列的推出，瑞萨科技的低功耗SRAM阵容将拥有总共100多个型号从低到高的八种容量（256 Kb、1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb、16 Mb、32 Mb和64 Mb），可以更好地满足各种用户需求。

　　*　 (瑞萨科技以前的低功耗SRAM产品包括先进LPSRAM产品和采用传统存储单元结构的产品)

　　先进LPSRAM可以利用堆叠电容器消除软错误，同时通过采用一种垂直结构减少每个存储单元的表面积，其结构中的堆叠电容器形成在晶体管的上层。这种SRAM元件采用多晶硅TFT* 5 作为P沟道负载晶体管。通过将这些形成在其他晶体管的上层，同时减少底部晶体管的数量，就可以减少存储单元的表面积。这就是32 Mb R1LV3216R系列拥有32 Mb低功耗SRAM产品中业界最小芯片尺寸的由来。

　　此外，底部晶体管仅包括驱动器和采用N沟道的存取晶体管，因此没有在存储区形成一种寄生可控硅结构的危险，而在理论上也不会发生锁定。消除软错误和锁定可以实现卓越的可靠性。

　　此外，先进LPSRAM不需要刷新，因而要比伪SRAM（PSRAM）的功耗更低，后者采用SDRAM或DRAM存储单元作为SRAM接口。这将使之适用于使用电池的数据备份等低功耗应用。

　　未来，瑞萨科技计划继续扩展其汽车应用的高质量产品，包括结合了存储器产品和汽车MCU产品的全面解决方案。