全球最大氮化镓工厂设备正式搬入 年底进入试生产

 9月20日消息，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）举行了设备搬入仪式，标志世界首条采用IDM模式8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线从建设阶段正式进入试生产阶段。

氮化镓作为第三代半导体材料的代表性材料，在新能源汽车、激光雷达、快充等细分行业有着广泛的应用。作为省级重点产业项目和长三角生态绿色一体化发展示范区首批亮点项目，英诺赛科一期投资超60亿元，建成后年产值预计可突破100亿元，可创造就业岗位超过2000个，并有望在5年内形成百亿级规模的第三代半导体材料器件产业基地。未来，将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开展合作，在汾湖形成第三代半导体的产业集群。