光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构

 光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAND数据单元阵列堆叠层数，增加每平方毫米晶圆上的比特数，使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量，使每颗裸片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量，这就意味着232层NAND的比特密度比上一代 176层NAND高出45% 以上，通过进一步的技术创新，美光再次提高了存储密度，降低了单位存储成本。

美光232 层NAND 紧凑的外形规格便于客户进行灵活设计， 是全球首款六平面 TLC 量产 NAND。与其他 TLC 闪存相比，该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量，且每个平面都具有独立的数据读取能力，实现了超越历代产品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)。其面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%。密度的增加进一步改善了封装规格，全新的11.5mm x 13.5mm封装尺寸较前几代小28%。这些突破使其成为目前市场上尺寸最小的高密度NAND，其小体积高密度的特性，高效利用了电路板空间，适用于各类部署。

美光的六平面架构以及高 I/O 速度和低读写延迟，可实现在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突，推动系统级服务质量的提升。

美光232层NAND具有璀璨业界的NAND输入/输出 ( I/O )速度（每秒2.4 GB），可满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析，以及云计算等数据密集型工作负载。该 I/O 速度比美光在176层节点上所支持的最高速度还要快50%。相比上一代产品，美光 232 层 NAND 的每颗裸片写入带宽提升至高100%，读取带宽提升至少 75%。这些优势提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效。

美光232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的量产技术。NV-LPDDR4是一种低压接口，与此前的I/O接口相比，每比特传输能耗可降低至少30%。因此，232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。