GaN电力电子器件主要应用在快充领域

第三代半导体在我国发展的开端应追溯至2013年。当年我国科技部制定“863计划”首次明确将第三代半导体产业划定为国家战略发展产业。随后2016年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点之一。至此，我国企业开始加大对第三半导体研发投入。2018年中车时代电气建成了我国首条6英寸碳化硅SiC生产线。同年泰科天润建成了我国首条碳化硅SiC器件生产线。2019年，三安集成建成了我国首条6英寸氮化镓GaN外延芯片产线并投入量产。2020年华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年第三代半导体产业被编入了我国“十四五”规划。截至当年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块（4/6英寸兼容）产能约26万片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。2021年，我国SiC衬底环节新增投产项目超过7项，新增投产年产能超过57万片。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。随着，新能源汽车、5G、PD快充等市场的快速发展，我国国产第三代半导体产能无法满足市场需求。据统计，目前超过八成产品来自进口。

2021年我国第三代半导体产业，在电力电子和射频电子两个领域，实现总产值达127亿元。其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元。GaN微波射频产值达到69亿元。在国家政策的稳定支持和下游应用市场需求支撑下，预计2027年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场有望超660亿元，GaN微波射频器件市场超240亿元。2027年我国第三代半导体整体市场规模有望超过900亿元。

SEMI-e 2022深圳国际半导体技术暨应用展将于2022年12月7-9日，在深圳国际会展中心17号馆（展示面积：5万平米）举行。

由中国通信工业协会、深圳市半导体行业协会、广东省集成电路行业协会、广州市半导体行业协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会、成都市集成电路行业协会、深圳市中新材会展有限公司联合主办。