先进碳化硅技术，有效助力储能系统

SiC 已经是一种成熟的技术，并成为需要电力传输系统的一种非常常见的解决方案，特别是在储能应用中，如电动汽车充电和附加电池的太阳能系统。这些系统一般包含几个应用 SiC 技术的器件，如 DC/DC 升压转换器，双向逆变器（交流电和直流电互相转换），和灵活的电池充电电路。简而言之，SiC 使系统效率提高了 3%，功率密度提高了 50%，并减少了无源元件的体积和成本。

大多数储能系统（ESS）都有多个能源转换步骤，可以从 SiC 器件中获益。Wolfspeed 提供了多种封装的器件，如肖特基二极管 / MOSFET（具有高达 100 A 额定电流封装 / 196 A 裸片封装）和 WolfPACK 系列器件中所使用的具有高达 450 A 额定电流的功率模块。无论是单相家用系统（5 - 15 kW）还是三相商用系统（30 - 100 kW），其架构和电源电路拓扑基本相似；但是它们可以根据功率级别进行调整。

图1 为一个典型的 ESS 架构，包含了电源（光伏 PV，值得注意的是， 这个应用可以使用任何替代能源替换）， DC/DC 转换器，电池充电机，把能量输送到家庭端或输送回电网的逆变器。这种配置下的三个电源模块中，SiC 可以提高效率，减少尺寸、重量和成本。

图 1：家用或商用的 ESS 配置

#1 SiC 在 ESS 电源模块中的优势

如上所示，当对收集到的能源进行转换并将其用于存储或为住宅/建筑供电时，涉及到几个能源转换步骤。DC/DC 转换通常由一个用于光伏应用的升压变换器实现，这时更高的系统效率和功率密度会发挥更大作用。与 Si 等传统技术相比，SiC 技术的独特优势包括系统尺寸减少 70%，能源消耗减少 60% 以上，系统成本降低 30% 之多。

图 2 为基于 SiC 的 60 kW 交错升压变换器（来自 Wolfspeed 参考设计 CRD-60DD12N）的示例，其中包含几个 SiC MOSFET 和二极管。四路交错并联帮助调节输出功率高达 60 kW，同时在输出 850 VDC 时保持 99.5% 的效率。该设计包含两个 C3M0075120K MOSFET（带开尔文源极引脚的 TO-247-4L 封装），每路拓扑有两个 C4D10120D 二极管和一个 CGD15SGOOD2 隔离式栅极驱动器。

图 2：基于 SiC 的 60 kW 交错升压变换器的参考设计

在上图的参考设计中，对不同开关频率下的 BOM 成本进行了分析/对比。在更高的频率下（100 kHz 相对于 60 kHz），得益于更小、更轻的组件/磁性材料，成本明显降低，而冷却系统可能会由于更高的运行温度而增加一些成本。但总的来说，更高的频率通常意味着更高的功率密度、更高的系统效率和更低的成本。这就是为何 SiC 能够以更低的价格提供更好的性能。

另一个 Wolfspeed 参考设计（图3）突出了 SiC 在逆变器和 DC/DC 充电电路中的优势。该设计在单相或三相模式下运行，充电和放电的峰值效率大于 98.5%。变换器部分包括一个简单两电平 AC/DC 变换器，兼容单相和三相连接，并且只有 6 个 SiC MOSFET。这种应用不像大多数的 IGBT 转换器那样成本低廉，但会在效率和损耗方面表现得更好。虽然 T 型 AC/DC 变换器提供了相似的开关频率和效率，但它往往拥有复杂的控制系统和更多数量的部件与较低的功率密度。

图 3：采用 SiC MOSFET 的简单两电平逆变器 / AFE

在上图的设计中，直流输出电压可以高达 900 V，而电池电压通常在 800 V 左右。受电热应力的影响，Wolfspeed 公司的 C3M0032120K 1200 V 32 mΩ SiC MOSFET 是非常合适的，因为它具有一流的品质因数、易于控制和 Vgs 驱动特性、开尔文源极封装等优点，可以减少开关损耗和串扰等问题。

这种拓扑结构适合于可实现不同功能的先进数控方案，如单相交错 PFC 方案或基于 DQ 变换的三相空间矢量 PWM 方案，这些方案可以达成所有器件开关损耗的平衡，进而形成一个非常灵活的参考平台。利用 PWM 控制开关有助于检测和功耗平衡，同时优化热性能，提高效率和可靠性。

在测试、测量各种负载下的效率和单相充电的电压范围时，结果表明，SiC 的效率高达 98.5%，而 IGBT 的最高效率为 96%， 因此 SiC 的损耗降低约 38%。图 4 显示了在不同功率水平下充电和放电的 AFE 的两组图表。

图 4：在多个功率级别下

充电（左）和放电（右）模式的 AFE 效率

三相充电实现了相同的峰值效率，同时在系统和设备限制下热性能也运行良好。尽管 T 型拓扑也可以达到类似的性能，但它通常更复杂，成本更高。

对 22 kW 逆变器 / AFE 配置总结一下，C3M0032120K SiC MOSTET 和灵活的控制方案可以实现高效率（>98.5%），高功率密度（4.6 W/L），低损耗（60%），以及双向工作，支持来自三相 AC 和单相 AC 输入，也支持输出 200 - 800 VDC 的电池电压范围。

#2 SiC 在 DC/DC 电池充电电路中的优势

很多拓扑支持隔离型 DC/DC 转换器。然而，最主流的解决方案是半桥 LLC 和全桥 LLC 转换器。参考设计（Wolfspeed 的 CRD-22DD12N）展示了一种 22 kW 的解决方案，可配置在级联变换器或单个两级变换器。级联变换器可以使用 650V Si MOSFET 或 SiC 器件，但通常会需要更多数量的部件，更高的导通损耗，更复杂的控制，以及更高的系统成本。使用 SiC 器件的单级两电平变换器可在更高的电压（1200 V）和高达 200 kHz 的开关频率下工作。SiC 基的最大优势是更高的效率/更低的损耗，并具有一些额外的特性，如零电压导通、低电流关断和更低的电磁干扰 EMI 风险。这种拓扑结构比级联变换器的部件数更少，有助于降低系统成本，提供更简单的控制。图 5 展示了这两种拓扑的差异。

图 5：22 kW 全桥 CLLC DC/DC 变换器 

- 级联（左）和单级两电平（右）

当考虑 22 kW 设计的功率元件时，再次证明了 C3M0032120K 1200V 32mΩ MOSFET 提供了最佳的电应力和热特性来配适转换器。此外，它的 Vgs 可以支持 15 V，使之更易驱动。可变直流链路电压控制（基于感知的电池电压）使系统效率达到最佳，并确保 CLLC 运行接近谐振频率。当电池电压较低时，控制切换到相移模式，这样就降低了增益，防止在谐振频率范围外低效地运行。这意味着使用相同的硬件也可以在较低的输出电压下实现类似的高效率。如果需要更低的电池电压，CLLC 原边可以作为半桥运行，这进一步降低了增益，但保持了效率区。由于运行成本较低，热设计不那么严格，这种低效率仍然可以接受。

图 6 显示了全桥配置的充电和放电模式的波形。充电模式图显示零电压导通，低电流关断，运行效率高。波形也非常干净，有低过冲开关，有助于消除 EMI 问题。

图 6：22 kW SiC DC/DC变换器的充放电模式

转换器的效率值与逆变器参考设计相似，在大多数负载上的峰值效率为 98.5%。在设计采用半桥模式之前，可变直流链路电压和最终效率都保持在 97% 以上，这限制了充电时的效率和功率传输能力。一般来说，SiC MOSFET 加上灵活的控制方案可以实现高效率（>98.5% 的充电/放电效率）和高功率密度（8 kW/L），支持单相 AC 和三相 AC 输入的双向充电。与 Si 相比，由于栅极驱动器的简单性、热管理组件、减少的部件数量和更小的磁性元件，它实现了更高的效率和功率密度，进而成本得以明显降低。

 #3 总结 Wolfspeed SiC 的优势

碳化硅器件使得如今的工业获得极大发展，主要得益于其热性能、更快的开关和更低的损耗。由于导通电阻对温度的依赖性较低，MOSFET 在较高温度下的导通损耗较低，并能实现高频开关。此外，高性能体二极管允许高可靠性的谐振变换器应用，而较小的输出电容使 LLC 变换器实现零电压导通变得容易。

图 7 显示了 SiC 对比 Si 器件（额定 650 V）在尺寸/重量上的独特优势。通常，硅器件需要一个变压器和谐振电感，而 SiC 配置可以不用集成变压器/电感，节省了重量和空间。

图 7：SiC 和 Si 在尺寸和重量上的对比

在效率方面，中等负载的峰值为 98.5%（如前面示例所示），但在输入范围的最大负载时，峰值大于 97.5%。Wolfspeed SiC 器件系列适应于应用的所有功率范围，范围从 1 千瓦到兆瓦不等，也可用于大功率模块。Wolfspeed 系列有适合低应用的分立式解决方案、适合中功率级别的 WolfPACK 模块、以及适合高端的大功率模块解决方案，设计人员可以在降低 BOM 成本和优化物理尺寸 / 布局的同时，选择多种拓扑和源流。功率模块将最大限度地提高功率密度，简化布局和配件（符合行业标准的占用空间），支持高功率系统的可扩展性，并在较低的劳力和元件成本下确保最高的效率和可靠性。

Wolfspeed 提供了多种拓扑的参考设计和评估工具包，如 AC/DC 功率因数校正、降压型/升压型 DC/DC、高频 DC/DC 和双向 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 工具包。SpeedFit 设计模拟器有助于描述系统级电路的特征，为通用拓扑建模，并为你的电子应用选择合适的 SiC 器件。

无论是使用分立式模块还是大功率模块，从住宅到工业的储能应用，SiC 都显示出了巨大的商机，Wolfspeed 的组合/资源可以在确保低成本、小空间的同时实现最灵活、可扩展、高性能的设计。