X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度

 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。
此次推出的四款新产品中，两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe，其灵敏度在紫外、可见光和红外波长（全光谱）上均有所提升；另外还有两款先进的紫外线专用光电二极管dosuv和dosuvr。doafe是一个全光谱传感器，具有约730nm的峰值灵敏度。在730nm波长下，该器件的光谱响应度为0.48A/W。与上一代相比，新产品的灵敏度提升约15％，且响应更加平稳，提高50％以上。应用方面，包括烟雾探测、位置感测和光谱测定在内的多种应用都可以受益于该光电二极管性能的大幅提升。
与doafe不同的是，一并推出的dobfpe在光谱的红光和近红外（NIR）部分表现尤为出色（峰值灵敏度约为770nm）。该系列的二极管对紫外光和蓝光不敏感，具有独特的光谱响应功能，在红外（IR）区有一个明显的峰值，使其成为接近感测应用的理想选择。新推出的dobfpe更增强了红外（IR）范围的灵敏度，与X-FAB之前的dob器件相比提高约25％。特别是当传感器越来越多地被置于玻璃面板下方的趋势下，该器件在接近感测方面能实现更强的性能和更高的灵敏度。
为拓展光电二极管产品的多样性，X-FAB还发布了一款新型先进紫外光电二极管dosuv，其在UVC波段（200nm至280nm）表现出更高的灵敏度。在260nm波长下，dosuv的性能几乎是以前任何产品的两倍。在235nm波长，其光谱响应度可达0.16A/W。此外，还有一款名为dosuvr的参考设计器件同时发布，适配于基于dosuv的传感器开发工作。
X-FAB Silicon Foundries在2024年10月11日发布了四款新型高性能光电二极管，旨在扩展其光电传感器产品线。其中，doafe和dobfpe为响应增强型光电二极管，覆盖从紫外到红外的全光谱范围，且灵敏度有所提升；特别是doafe具有约730nm的峰值灵敏度，在730nm波长下的光谱响应度达到0.48A/W，与上一代相比灵敏度提升了约15%，响应平稳性提高了50%以上，适用于烟雾探测、位置感测及光谱测定等应用。而dobfpe则特别优化了红光和近红外区域的性能，峰值灵敏度约为770nm，对紫外光和蓝光不敏感，适合接近感测应用，其红外区灵敏度较之前产品提升了约25%。此外，X-FAB还推出了两款专用于紫外线检测的光电二极管dosuv和参考设计dosuvr，前者在UVC波段（200nm至280nm）表现出显著增强的灵敏度，尤其在260nm波长时表现突出，为相关领域提供了更高效的选择。这些新产品的推出不仅丰富了X-FAB的产品组合，也增强了公司在市场上的竞争力。
这几款新发布的光电二极管器件均能提供与上一代产品类似的填充因子和光电流数值，同时所需的芯片面积可减少约20％，因而它们更易于集成；其较小的暗电流值意味着可获得良好的信号完整性特征。同时，产品支持－40℃至175℃的工作温度范围。