新一代FeRAM助力边缘智能

 在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。
富士通半导体（即将更名为RAMXEED）作为FeRAM产品全球两个主要供应商之一，只专注于高性能存储器FeRAM和ReRAM的研发，以及以FeRAM、ReRAM为基础的定制产品的开发。“我们的产品适用于从个体到企业，从私人到公共的多种应用，可广泛应用于汽车电子、工业控制、表计、助听器等重要基础行业。”
近日，富士通半导体科技（上海）有限责任公司总经理冯逸新在由E维智库举办的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛上分享道，“富士通集团公司开展FeRAM的业务超过20年之久。我们的FeRAM产品深受全球用户的好评，目前已累计出货44亿片之多。”
FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存储技术领域内的两项重要创新，旨在提供比传统存储解决方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和更小的尺寸。随着便携式系统市场在过去十多年间的迅速扩张，半导体产业对于大容量非易失性存储器（NVM）技术的兴趣日益浓厚。市场对更高效率、更快的内存访问速度及更低功耗的需求，不断推动着NVM技术的进步。据预测，全球非易失性存储器市场规模在2024年达到约945.2亿美元的基础上，到2029年将扩大至1647.9亿美元，其间将以11.76%的复合年增长率持续增长。
在演讲的最后，冯逸新分享了富士通未来的计划，主要包括两个方面：首先，针对SRAM+battery组合，鉴于市场对电池管理提出了环保低碳的要求，存储的发展方向将是消除对电池的依赖。其次，对于SRAM+EEPROM（或NVSRAM）组合，该配置与FeRAM相似，用现有量产FeRAM产品也可以替换，但是新一代高速FeRAM可以满足与SRAM一样的高速写入需求的应用。冯逸新表示，未来的研究与开发工作将紧密贴合市场需求，致力于进一步提升FeRAM 的速度性能。同时，还将推进Quad（四线）SPI产品的研发，以满足如游戏机和高端工厂自动化等对数据传输速率有着更高要求的应用领域的特殊需求。通过这些技术创新，富士通旨在为客户提供更快的响应时间和更高的数据处理能力，从而推动相关行业的发展和技术进步。