瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET

 中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。
瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）大幅降低30%；更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。
REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量）减少40%。
除了优秀的电气特性外，瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年来，瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势，凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障，瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”