DRAM的快速访问模式

　　观察对DRAM单元的访问方式即可明白，在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电，以及利用读出放大器进行放大等，所以不太擅长随机访问。但是，在实际中的存储器访问中，持续访问连续的区域是很常见的，而且在安装了高速缓冲存储器的情况下，由于高速缓冲存储器与主存储器（一般以DRAM构成）之间的传输是以块为单位进行的传输。所以，完全的随机访间是罕见的，大多是连续的区域或某狭窄的区域被集中访问。因此，着重设计了在DRAM端可连续访问已确定区域的机制。
 
　　以前访问模式具有页模式、静态列模式和半字节（nibble）模式这三种，之后页模式被随后出现的快速翻页模式（Fast PageMode）所取代，进而又被EDO模式（也称为超页模式，HyperPageMode）所取代一直到现在。期间，具有静态列模式及半字节模式的DRAM逐渐从市场上消失。
 
　　这几种访问模式基本的思路类似。如果利用读操作进行说明，那么正如在DRAM的单元结构中所说明的那样，在DRAM读访问中，在选择了字线的时刻，在各个数据线上确定数据，该数据由列地址进行选择。因为在所有的数据线上都将一定出现数据，所以，与每次都要所以，与每次都要重新赋予行地址的操作相比，在此只要切换列地址，就可以进行快速的访问。只要能将来自主机地址中的高位分配给行地址，将低位分配给列地址，那么就可以进行连续区域的快速访问。