基片的SOl氧注入分离法

　　氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的SOl来说，其工艺冗余度却比较低。

　　我们通过注入剂量，即每平方厘米注入到基片中的离子数来描述注入的总离子数。一般在SIMOX中需要总的注入剂量通常为>1018cm^-2，而通常CMOS工艺中的注入剂量为1016cm^-2，较SIMOX要小2个数量级。

　　氧离子以200 keY的能量注入到硅中，这个能量决定了氧化层的深度和表层硅的厚度。在低剂量注入的情况下，二氧化硅一般为高斯分布，而在高剂量注入并退火后，二氧化硅分布较均匀，可以认为它与上下两硅层之间是突变的。

　　由于离子注入会在顶层硅引入缺陷，而这些缺陷如果控制不好的话会对传输的光造成较大的吸收；好在通过优化工艺参数，这些缺陷己被减小到10²～10³cm^-2。