SOl基片的制备
发布时间：2008-12-03阅读：811
绝大部分的硅光子器件选择SOl材料来做平台。而我们通常用的SOl材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来做掩埋绝缘层，即硅在二氧化硅上。顶层硅和掩埋二氧化硅的厚度一般为微米量级，随制作工艺的不同而不同。
二氧化硅一般采用热氧化来形成，掩埋二氧化硅的折射率一般为1.46，远远低于顶层硅的折射率，一般为3.5。因此，这种类型的SOl结构可以形成一种经典的光波导结构。
上一篇：直光波导中的辐射损耗
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绝大部分的硅光子器件选择SOl材料来做平台。而我们通常用的SOl材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来做掩埋绝缘层，即硅在二氧化硅上。顶层硅和掩埋二氧化硅的厚度一般为微米量级，随制作工艺的不同而不同。
二氧化硅一般采用热氧化来形成，掩埋二氧化硅的折射率一般为1.46，远远低于顶层硅的折射率，一般为3.5。因此，这种类型的SOl结构可以形成一种经典的光波导结构。
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