易失性存储器(VM)
发布时间：2022-11-30
在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。
DRAM
DRAM由许多重复的位元格组成，每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成。电容中存储电荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。
由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性“动态”充电，保持电势。否则，就会丢失数据。因此，DRAM才被称为“动态”随机存储器。
DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是DRAM的一种。（DDR基本是指DDRSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。）
值得一提的是，显存这边，除了GDDR之外，还有一种新型显存，叫做HBM（HighBandwidthMemory）。它是将很多DDR芯片堆叠后，与GPU封装在一起构成的（外观上看不到显存颗粒了）。
SRAM
SRAM大家可能比较陌生。其实，它就是我们CPU缓存所使用的技术。SRAM的架构，比DRAM复杂很多。
SRAM的基本单元，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管（M1,M2,M3,M4）构成两个交叉耦合的反相器，2个场效应管（M5,M6）用于读写的位线（BitLine）的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器（触发器），并在通电时锁住二进制数0和1。因此，SRAM被称为“静态随机存储器”。
SRAM不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。所以，它主要用于CPU的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在FPGA内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。
DRAM
DRAM由许多重复的位元格组成，每一个基本单元由一个电容和一个晶体管构成。电容中存储电荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶体管，则用来控制电容的充放电。
由于电容会存在漏电现象。所以，必须在数据改变或断电前，进行周期性“动态”充电，保持电势。否则，就会丢失数据。因此，DRAM才被称为“动态”随机存储器。
DRAM一直是计算机、手机内存的主流方案。计算机的内存条（DDR）、显卡的显存（GDDR）、手机的运行内存（LPDDR），都是DRAM的一种。（DDR基本是指DDRSDRAM，双倍速率同步动态随机存储器。）
值得一提的是，显存这边，除了GDDR之外，还有一种新型显存，叫做HBM（HighBandwidthMemory）。它是将很多DDR芯片堆叠后，与GPU封装在一起构成的（外观上看不到显存颗粒了）。
SRAM
SRAM大家可能比较陌生。其实，它就是我们CPU缓存所使用的技术。SRAM的架构，比DRAM复杂很多。
SRAM的基本单元，则最少由6管晶体管组成：4个场效应管（M1,M2,M3,M4）构成两个交叉耦合的反相器，2个场效应管（M5,M6）用于读写的位线（BitLine）的控制开关，通过这些场效应管构成一个锁存器（触发器），并在通电时锁住二进制数0和1。因此，SRAM被称为“静态随机存储器”。
SRAM存储单元
SRAM不需要定期刷新，响应速度快，但功耗大、集成度低、价格昂贵。所以，它主要用于CPU的主缓存以及辅助缓存。此外，还会用在FPGA内。它的市场占比一直都比较低，存在感比较弱。
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